根据国家知识产权局的公告，长鑫存储技术有限公司在2022年10月申请了一项名为“一种封装结构”的专利，公开号为CN117976653A。
专利摘要显示，该封装结构包括基层和多个晶粒，晶粒层叠设置于基层。相邻的两个晶粒在基层上的投影部分重合，而间隔设置的两个晶粒在基层上的投影至少部分重合。间隔设置的两个晶粒通过电信号通路形成电连接，其中，电信号通路的第一电连接层位于间隔设置的两个晶粒之间，并分别与这两个晶粒电连接。
该封装结构通过交错设置多个晶粒，增加了晶粒间的距离，方便填充并提升了散热性能。将多个晶粒错开设置后，在间隔设置的两个晶粒之间设置电信号通路形成电连接，从而增大了间隔设置的晶粒之间形成的多条电信号通路间的距离，避免了不同电信号通路之间距离过近而产生干扰，提高了封装结构的信号传输可靠性。
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